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991.
本文基于微乳液法制备了长度几微米、直径20-100纳米的NiC2O4纳米棒,以此为可牺牲模板得到多孔NiO纳米棒,并采用FESEM、TEM、HRTEM、XRD、FTIR对产物的形貌和结构进行了表征。研究表明,所制多孔NiO纳米棒是由NiO颗粒组成,且NiO颗粒的直径可随热处理温度变化。同时研究了NiO纳米棒的磁性性能,制备的NiO纳米棒显示出随NiO颗粒尺寸变化的铁磁性特征。  相似文献   
992.
吴磊  李娟  曹淮  朱志娟 《包装工程》2011,32(8):26-29
从工业设计与外观专利的关系出发,针对典型客车外观设计侵权案例进行分析,以工业设计的专业角度切入研究,使用设计形态学和产品语义学分析方法,从客车外观设计的特征曲线和特征曲面进行提取和判断。基于此案例分析,从"企业外观专利战略"和"政府专利部门建设"两方面提出我国外观专利保护与发展的思路。  相似文献   
993.
以Charpy V型缺口冲击吸收能量为应变时效脆化评价指标,研究采用工程中常用的热处理方法对应变时效脆化避免和消除的效果,使用光学显微镜、SEM和TEM观察试样组织形貌,探讨了各种热处理下的材料微观组织变化.结果表明:采用的20钢厚壁高压管轧制过程中已发生应变时效脆化,后续的预制更加加重了管子的应变时效脆化程度;不同热...  相似文献   
994.
镍基单晶高温合金的再结晶   总被引:1,自引:0,他引:1  
孟杰  金涛 《材料工程》2011,(6):92-98
镍基单晶高温合金作为先进发动机叶片的主要用材,其再结晶问题日益受到重视.本文综述了热处理温度、热处理时间、变形程度及合金成分等多种因素对镍基单晶高温合金再结晶的影响规律,分析了镍基单晶高温合金再结晶对其蠕变和疲劳性能的影响,并讨论了回复处理及浸蚀直接去除表面变形层、渗碳和表面涂层等控制再结晶的方法.最后,指出了镍基单晶...  相似文献   
995.
采用传统陶瓷制备方法制备了致密的NaNbO3无铅铁电陶瓷。利用XRD、SEM、介电温谱等分析技术,研究了CuO和MnO2掺杂对NaNbO3无铅铁电陶瓷的合成温度、烧成工艺、结构相变以及铁电性能的影响。结果表明通过CuO和MnO2掺杂能在较低温度下制备出致密的NaNbO3陶瓷和陶瓷的致密度,电学性能随着烧成温度的变化存在一个最优值,最佳烧结温度为1050℃,体积密度达到4.38g/cm3为理论密度的98.6%。该陶瓷在15~120℃均表现出铁电性能,具有压电活性,常温下介电常数为287,居里温度为390℃。  相似文献   
996.
采用定向凝固方法制备了Cr/Mo微合金化高Nb Ti-Al合金,并考察了其微观结构和力学性能.结果表明,两种合金都呈现出层片状微观组织.尽管温度梯度受限,抽拉速度较高,但与Ti-16A1-12Nb相比,Ti-16A1-12Nb-3Cr-1Mo合金中的片层倾向于与抽拉方向呈更小角度生长,在室温和650℃时的拉伸强度和塑性...  相似文献   
997.
研究了电磁连铸AZ31镁合金沿A路径经常规等径角挤压(ECAE)和两步ECAE变形后的微观组织与力学性能.结果表明:与预挤压态相比,常规ECAE态合金随着挤压道次的增加,晶粒不断细化,伸长率不断提高,但屈服强度与抗拉强度逐渐降低;两步ECAE可以使晶粒进一步细化,伸长率、屈服强度与抗拉强度均提高.伸长率、屈服强度与抗拉...  相似文献   
998.
纳米电刷镀In层真空辐照环境下摩擦学性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用纳米电刷镀技术在(n-Al2O3/Ni)工作层上制备了In涂层,利用扫描电子显微镜和能谱仪观察和分析了In涂层在大气、真空、原子氧辐照、紫外线辐照后的表面、磨痕形貌及元素组成.利用真空摩擦磨损试验机分别完成了干摩擦条件下大气、真空、原子氧辐照及紫外线辐照四种环境下的摩擦磨损性能测试.结果表明:金属铟在常态下具有良好...  相似文献   
999.
试样加工对金属材料拉伸性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过对大量拉伸试验数据进行分析比较,从样坯切取和试样制备两大方面分析了试样加工对金属材料拉伸性能的影响。结果表明:取样方向、取样位置、取样方法、试样形状、试样尺寸以及试样制备方法等都不同程度地影响着金属材料的拉伸性能,在实际检测工作中应正确认识这些因素对拉伸试验结果的影响,拉伸试验前应选择正确的取样部位和取样方向,加工成规定横截面和形状的试样,并避免试样在加工过程中受到热影响和加工硬化影响,同时还应尽可能提高试样的加工精度。  相似文献   
1000.
CBS涂层对多孔氮化硅高温高频介电性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用溶胶-凝胶法在多孔氮化硅表面制备了CaO-B2O3-SiO2(简称为CBS)微晶玻璃致密涂层.用高Q腔一腔多模扫频方法测量了样品从7.3GHz至18.4GHz频率范围内室温到1200℃的介电常数和介电损耗,研究了CBS涂层对多孔氮化硅高温高频介电性能的影响.结果表明:多孔氮化硅经表面处理后的介电常数略有增大,随着频...  相似文献   
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